0 руб.
Оформить заказ
FDN359AN - это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от ON Semiconductor.
Технические характеристики
Тип канала: N-канал
Напряжение сток-исток: 30 В
Максимальный ток стока: 2.7 A (при температуре окружающей среды Ta..
103 руб.
В корзину
FQB55N10TM - это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Технические характеристики
Тип: N-канальный
Напряжение сток-исток (Vds): 100 В
Ток стока (Id): 55A (при температуре корпуса Tc)
Рассеиваемая мощность (Pd): 3.7..
420 руб.
В корзину
P-канальный MOSFET (полевой транзистор) FQD11P06TM.
Технические характеристики
Тип канала: P-канал
Напряжение сток-исток: -60 В
Ток стока (при Tc): -9.4 A
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 185 мОм
Рассеиваемая мощность (Ta): 2.5 Вт
Рас..
237 руб.
В корзину