0 руб.
Оформить заказ
Полупроводниковый компонент: Диодная сборка
Технические характеристики
Обозначение: BAV199LT1G
Тип: Двухдиодный переключающий диод с последовательным соединением.
Обратное напряжение (Vr): 70 В
Прямой ток (If): 215 мА
Прямое напряжение (Vf): 1,25 В..
22 руб.
В корзину
BAV70LT1G - это диодная сборка, состоящая из двух диодов, включенных по схеме с общим катодом.
Технические характеристики
Тип диода: Малосигнальный, переключающий
Конфигурация: Двойной диод с общим катодом
Максимальное обратное напряжение (Vr): 70 ..
14 руб.
В корзину
Диодный массив (двухканальный коммутирующий диод) BAV70TT1G
Технические характеристики
Тип компонента: Диодный массив
Количество диодов: 2
Общее напряжение: 100 В
Максимальный ток: 200 мА (постоянный ток)
Тип корпуса: SC-75
Материалы: (не указано в..
15 руб.
В корзину
Диодный мост, двухполупериодный, монолитный.
Технические характеристики
Обозначение: BAV74LT1G
Тип: Двухполупериодный диодный мост
Обратное напряжение: 50 В
Прямой ток: 200 мА
Прямое напряжение: 1 В
Время восстановления обратного напряжения: 4 нс
Т..
15 руб.
В корзину
BAV99LT1G - это сдвоенный последовательный переключающий диод.
Технические характеристики
Тип корпуса: SOT-23 (TO-236-3, SC-59)
Максимальное обратное напряжение: 100 В
Прямой ток: 215 мА (DC)
Рассеиваемая мощность: 225 мВт (FR-5 Board при температу..
15 руб.
В корзину
BAV99WT1G - Диодная сборка
Технические характеристики
Конфигурация диода: 1 пара последовательно соединенных диодов
Максимальное обратное напряжение: 70 В
Прямой ток: 200 мА (DC) или 215 мА (DC)
Монтаж: Поверхностный (SMD)
Корпус: SC-70, SOT-323
Вре..
22 руб.
В корзину
Двухполупериодный диодный мост, общий анод.
Технические характеристики
Обозначение: BAW56WT1G
Тип: Двухполупериодный диодный мост
Конструкция: Общий анод
Обратное напряжение: 70 В
Прямой ток: 200 мА
Максимальный импульсный ток: 500 мА
Прямое напряж..
15 руб.
В корзину
Полевой транзистор (MOSFET), n-канальный, маломощный.
Технические характеристики
Маркировка: BSS138LT1G
Тип: n-канальный
Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 50 В
Максимальный ток стока (ID): 200 мА
Максимальная мощность рассеивания (PD): 225..
30 руб.
В корзину
Полевой транзистор N-канальный, логического уровня, с улучшенным режимом, BSS138W
Технические характеристики
Тип: Полевой транзистор (MOSFET)
Канал: N-канальный
Режим работы: Логический уровень, с улучшенным режимом
Напряжение сток-исток: 50 В
Ток ..
41 руб.
В корзину
BZX84C12LT1G – это кремниевый стабилитрон малой мощности, предназначенный для стабилизации напряжения.
Технические характеристики
Тип корпуса: SOT-23
Номинальное напряжение стабилизации: 12 В
Допуск на напряжение стабилизации: 5%
Мощность рассеиван..
12 руб.
В корзину
Диод стабилитрон BZX84C4V7LT1G производства ON Semiconductor.
Технические характеристики
Тип компонента: Стабилитрон
Номинальное напряжение стабилизации (Vz): 4.7 В
Допуск напряжения стабилизации: ±6%
Рассеиваемая мощность: 250 мВт
Рабочий ток (Izt..
16 руб.
В корзину
Одноканальная диодная сборка для защиты от электростатического разряда (ESD) / Диод TVS.
Технические характеристики
Каналы защиты: 1 канал
Типовое обратное рабочее напряжение (Vrwm): 3.3 В
Типовое напряжение ограничения: 10 В
Пиковый импульсный ток..
660 руб.
В корзину