0 руб.
Оформить заказ
P-канальный MOSFET транзистор ON Semiconductor 5LP01SS-TL-E, предназначенный для использования в качестве малого сигнала.
Технические характеристики
Тип канала: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток: -50 В
Максимальный ток стока: -0.07 А
Управл..
2 850 руб.
В корзину
Полупроводниковый компонент: Быстродействующий диод
Технические характеристики
Обозначение: BAS116LT1G
Тип диода: Быстродействующий
Обратное напряжение: 75 В
Прямой ток: 200 мА
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Преимущества
Компактный корпус SOT-23
Об..
23 руб.
В корзину
Диод переключающий малого сигнала BAS16HT1G
Технические характеристики
Номинальное напряжение: 100 В
Номинальный ток: 200 мА
Тип корпуса: SOD-323
Материал корпуса: Без свинца (Pb-Free)
Упаковка: Лента/катушка (Tape & Reel)
Количество в упаковке: 30..
7 руб.
В корзину
BAS16LT1G - это малосигнальный коммутационный диод.
Технические характеристики
Максимальное обратное напряжение: 75 В
Прямой ток: 200 мА
Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Области применения
Коммутационные диоды BAS16LT..
14 руб.
В корзину
Переключающий диод BAS16LT3G.
Технические характеристики
Тип корпуса: SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение: 100 В
Максимальный прямой ток: 200 мА
Максимальная рассеиваемая мощность: (Не указано)
Рабочая температура: (Не указано)
Тип монтажа: П..
3 152 руб.
В корзину
Полупроводниковый диод Шоттки BAS16WT1G
Технические характеристики
Тип диода: Переключающий полупроводниковый диод Шоттки
Максимальное обратное напряжение: 100 В
Максимальный прямой ток: 200 мА
Корпус: SC-70-3 (SOT323)
Материалы: кремний (без свинц..
15 руб.
В корзину
Полупроводниковый компонент: Диод, переключающий
Технические характеристики
Обозначение: BAS16XV2T1G
Максимальное обратное напряжение (VR): 75 В
Максимальный прямой ток (IF): 200 мА
Тип корпуса: SOD-523
Преимущества
Компактный размер благодаря к..
2 455 руб.
В корзину
BAS19LT1G - высоковольтный коммутационный диод.
Технические характеристики
Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
Максимальное обратное напряжение: 120 В
Прямой ток: 200 мА
Области применения
Компонент может применяться в различных электронных схемах, гд..
15 руб.
В корзину
Высоковольтный переключающий диод BAS20HT1G.
Технические характеристики
Тип компонента: Переключающий диод
Максимальное обратное напряжение: 200 В
Максимальный прямой ток: 200 мА
Максимальная рассеиваемая мощность: (не указано)
Максимальная темпера..
2 457 руб.
В корзину
BAS21AHT1G - малосигнальный переключательный диод.
Технические характеристики
Тип корпуса: SOD-323
Максимальное обратное напряжение: 250 В
Максимальный прямой ток: 200 мА
Обратный ток (при VR = 200 В): не более 40 нА (при температуре 25°C), не боле..
14 руб.
В корзину
Диод переключения высокого напряжения BAS21HT1G
Технические характеристики
Тип корпуса: SOD-323
Максимальное обратное напряжение: 250 В
Максимальный ток: 200 мА
Максимальная температура перехода: 150°C
Обратный ток утечки (при VR = 200 В пост. тока..
14 руб.
В корзину
Полупроводниковый диод переключения малой мощности BAS21LT1G
Технические характеристики
Максимальное обратное напряжение: 250 В
Максимальный прямой ток: 200 мА
Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
Материал корпуса: (не указано)
Рабочая температура: (не у..
17 руб.
В корзину
Полупроводниковый компонент: Двойной последовательно соединённый высоковольтный быстродействующий диод.
Технические характеристики
Маркировка: BAS21SLT1G
Тип: Двойной последовательно соединённый диод
Обратное напряжение: 250 В
Прямой ток: 200 мА (п..
14 руб.
В корзину
