0 руб.
Оформить заказ
Высоковольтный малосигнальный импульсный диод.
Технические характеристики
Конфигурация: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение (Vr): 250 В
Максимальный прямой ток (If): 200 мА
Прямое падение напряжения (Vf): 1.25 В (при прямом токе 2..
11 руб.
В корзину
Переключающий диод MMSD4148T1G
Тип компонента: Переключающий диод
Технические характеристики
Максимальное обратное напряжение (VRRM): 100 В
Максимальный прямой ток (IF): 200 мА
Тип корпуса: SOD-123
Материал: Кремний
Метод монтажа: Поверхностный мо..
13 руб.
В корзину
Высокоскоростной диод для коммутации.
Технические характеристики
Максимальное обратное напряжение: 100 В
Прямой ток: 200 мА
Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
Корпус: SOD-123
Области применения
Предназначен для использования в различных схемах комм..
16 руб.
В корзину
MMSZ4690T1G - это диод Зенера, выпускаемый компанией ON Semiconductor.
Технические характеристики
Тип: Диод Зенера
Номинальное напряжение стабилизации: 5.6 В
Мощность: 500 мВт
Допуск: ±5%
Тип корпуса: SOD-123
Монтаж: Поверхностный
Упаковка: Лента и..
25 руб.
В корзину
P-канальный MOSFET-транзистор ON Semiconductor MTB50P03HDLT4.
Технические характеристики
Тип транзистора: P-канальный MOSFET
Модель: MTB50P03HDLT4
Тип корпуса: D2PAK, предназначен для поверхностного монтажа
Максимальное напряжение сток-исток (VDS): ..
1 048 руб.
В корзину